인더뉴스 제해영 기자ㅣ태성 나노팹기술개발센터가 3.5F² DRAM Cell 기술 특허를 확보하며 한국 반도체 기술 자립의 기반을 마련했습니다.
태성환경연구소 나노팹기술개발센터(회장 윤기열, 대표이사 김석만: 이하 태성)는 지난 달 4일 발표한 3.5F² DRAM 셀 기술에 대해 특허 등록에 성공했다고 19일 밝혔습니다.
3.5F² DRAM 셀은 기존 6F² DRAM 셀 대비 면적을 절반 수준으로 줄여, 높은 집적도를 가진 초고밀도 DRAM 셀로 주목받고 있습니다.
워드라인 2층 구조와 벌집 모양으로 배치된 수직형 필러 트랜지스터를 도입해 설계된 이 특허기술은 DRAM 셀의 성능과 효율을 극대화하면서도 면적 효율을 높인 것이 특징입니다.
예를 들어, 16Gb DRAM 다이(약 40~50mm²)의 경우 기존 기술로는 웨이퍼당 약 1700개 수준의 다이를 생산할 수 있었으나, 3.5F² DRAM 셀 기술을 적용하면 셀 효율이 같은 수준을 유지한다는 가정하에 웨이퍼당 3400개의 다이 생산이 가능해져 생산 효율성이 크게 향상됩니다.
임채록 태성 개발총괄이사는 ”발명 제목 ‘서브 4F² 구조의 디램 소자’로 특허 등록을 확정했다“며 ”이를 기반으로 한 DRAM 솔루션은 국내외 반도체 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 전망된다“고 말했습니다.
또한 ”DRAM 이 적층된 AI 분야에서 사용되는 HBM(High Bandwidth Memory)과 3D DRAM 에도 3.5F² DRAM 셀의 적용이 가능해 더욱 폭넓은 활용이 기대된다“고 덧붙였습니다.
한편 태성은 DRAM의 용량을 1Tb(1 Tera bit)까지 확장할 수 있는 새로운 DRAM 셀 구조를 연구하고 있으며, 3D DRAM 및 IRAM(Insulating-layer RAM)을 설계해 내년에 공개할 계획입니다.
윤기열 태성 회장은 ”중소기업이 주도적으로 독자적인 원천 기술을 확보해 글로벌 시장에서 경쟁력을 갖출 수 있다는 가능성을 보여준 사례라는 점에서 의미가 크다“고 말했습니다.
또한 ”이번 성과는 단순한 특허 등록을 넘어 한국 반도체 산업이 기술 자립을 통해 글로벌 패권 경쟁에서 앞서나갈 수 있는 기반이 될 것이다“고 말했습니다.
